FF600R16KF4 Ver la hoja de datos (PDF) - eupec GmbH
Número de pieza
componentes Descripción
Lista de partido
FF600R16KF4 Datasheet PDF : 5 Pages
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IGBT-Module
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
tp=1 ms
tC=25°C, Transistor /transistor
tp=1ms
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
VCES
IC
ICRM
Ptot
VGE
IF
IFRM
VISOL
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
Eingangskapazität
Kollektor-Emitter Reststrom
gate threshold voltage
input capacity
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
gate leakage current
gate leakage current
turn-on time (inductive load)
Speicherzeit (induktive Last)
Fallzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
fall time (inductive load)
Charakteristische Werte / Characteristic values
iC=600A, vGE=15V, tvj=25°C
iC=600A, vGE=15V, tvj=125°C
iC=40mA, vCE=vGE, tvj=25°C
fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0V
vCE=1600V, vGE=0V, tvj=25°C
vCE=1600V, vGE=0V, tvj=125°C
vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C
vCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C
iC=600A,vCE=900V,v L=±15V
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=25°C
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=125°C
iC=600A,vCE=900V,v L=±15V
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=25°C
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=125°C
iC=600A,vCE=900V,v L=±15V
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=25°C
vL=±15V, R G=3,3Ω, tvj=125°C
vCE sat
vGE(TO)
Cies
iCES
iGES
iEGS
ton
ts
tf
Transistor / Transistor
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
iC=600A,vCE=900V,v L=±15V
Eon
RG=3,3Ω, tvj=125°C, LS=70nH
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
iC=600A,vCE=900V,v L=±15V
Eoff
RG=3,3Ω, tvj=125°C, LS=70nH
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
forward voltage
iF=600A, vGE=0V, tvj=25°C
vF
iF=600A, vGE=0V, tvj=125°C
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
iF=600A, -diF/dt=3kA/µs
IRM
vRM=900V, vEG=10V, t vj=25°C
vRM=900V, vEG=10V, t vj=125°C
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
iF=600A, -diF/dt=3kA/µs
Qr
vRM=900V, vEG=10V, t vj=25°C
vRM=900V, vEG=10V, t vj=125°C
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor, DC, pro Modul / per module
Transistor, DC, pro Zweig / per arm
RthJC
Diode /diode, DC, pro Modul / per module
Diode /diode, DC, pro Zweig / per arm
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Module / per Module
pro Zweig / per arm
RthCK
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
tvj max
tc op
tstg
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung / mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse / terminal connection torque
terminals M6 / tolerance ±10%
M1
terminals M4 / tolerance +5/-10%
M2
terminals M8
Gewicht
weight
G
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
icnombination with the belonging technical notes.
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs
VCC = 1000 V
vL = ±15V
vCEM = 1300 V
RGF = RGR = 3,3 Ω
iCMK1 ≈ 6000 A
tvj = 125°C
iCMK2 ≈ 4500 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions
v
CEM = VCES - 20nH x |dic/dt|
FF 600 R 16 KF4
min. typ.
- 3,5
- 4,6
4,5 5,5
- 90
-
4
- 40
-
-
-
-
1600 V
600 A
1200 A
3900 W
± 20 V
600 A
1200 A
3,4 kV
max.
3,9 V
5V
6,5 V
- nF
- mA
- mA
400 nA
400 nA
- 0,8
- µs
-
1
- µs
- 1,1
- µs
- 1,3
- µs
- 0,25
- µs
- 0,3
- µs
- 240
- 140
- 2,4
- 2,2
- 230
- 320
- 50
- 110
- mWs
- mWs
2,8 V
-V
-A
-A
- µAs
- µAs
0,016 °C/W
0,032 °C/W
0,04 °C/W
0,08 °C/W
0,008 °C/W
0,016 °C/W
150 °C
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Al2O3
3 Nm
2 Nm
8...10 Nm
ca. 1500 g
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