3DD1557 Ver la hoja de datos (PDF) - Jilin Sino-Microelectronics

Número de pieza

componentes Descripción

fabricante

3DD1557

3DD1557 / D1557 / Low frequency amplification bipolar transistor

Jilin Sino-Microelectronics 

D1557

电特性 (Tc=25℃)

项目

集电极—基极击穿电压

发射极—基极击穿电压

集电极—基极反向漏电流

发射极—基极反向漏电流

直流电流增益

集电极—发射极饱和压降

基极—发射极饱和压降

阻尼二极管正向压降

符号

V(BR)CBO

V(BR)EBO

ICBO

IEBO

hFE(1)

hFE(2)

VCE(sat)

VBE(sat)

-VF

下降时间

tf

贮存时间

ts

特征频率

fT

测试条件

IC=1mA, IE=0

IE=400mA, IC=0

VCB=1500V, IE=0

VEB=5V, IC=0

VCE=5V, IC=1A

VCE=5V, IC=5A

IC=5.5A, IB=1.38A

IC=5.5A, IB=1.38A

IF=5.5A

IC=5.5A,2IB1=-IB2=2.4A

fH=15.75KHz

IC=5.5A,2IB1=-IB2=2.4A

fH=15.75KHz

VCE=10V, IC=0.1A

最小值

1500

6

-

66

8

5

-

-

-

最大值

-

-

1

200

28

-

1

1

2

单位

V

V

mA

mA

V

V

V

-

0.8 μS

-

8

μS

1

-

MHz

版本:604A

2/6

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