AG12A Ver la hoja de datos (PDF) - Diotec Semiconductor Germany
Número de pieza
componentes Descripción
Lista de partido
AG12A Datasheet PDF : 1 Pages
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AG12A ... AG12M
Version 2007-07-26
Ø 5.5
AG12A ... AG12M
Silicon Rectifier Cells with Polysiloxane Cover
Silizium-Gleichrichterzellen mit Polysiloxan-Abdeckung
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Weight approx. – Gewicht ca.
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose
Dimensions - Maße [mm]
12 A
50...1000 V
0.3 g
Maximum ratings
Type
Typ
AG12A
AG12B
AG12D
AG12G
AG12J
AG12K
AG12M
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
80
130
250
450
700
1000
1300
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TT = 100°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i2t
Tj
TS
Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C IF = 12 A
VF
Tj = 25°C VR = VRRM
IR
12 A
60 A 1)
500/550 A
1250 A2s
-50...+150°C
-50...+150°C
Kennwerte
< 0.95 V
< 10 µA
1 Max. temperature of the cell T = 150°C – Max. Temperatur der Zelle T = 150°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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