Q65110A7515(2009) Ver la hoja de datos (PDF) - OSRAM GmbH

Número de pieza

componentes Descripción

Lista de partido

Q65110A7515
(Rev.:2009)

High Power Infrared Emitter (940 nm)

OSRAM GmbH 

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics (cont’d)

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Abmessungen der aktiven Chipfläche

Dimension of the active chip area

L×B

L×W

Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% tr, tf

auf 10%, bei IF = 70 mA, RL = 50 Ω

Switching times, Ιe from 10% to 90% and from

90% to 10%, IF = 70 mA, RL = 50 Ω

Durchlassspannung

Forward voltage

IF = 70 mA, tp = 20 ms

VF

IF = 500 mA, tp = 100 µs

VF

Sperrstrom

IR

Reverse current

Gesamtstrahlungsfluss

Total radiant flux

Φe typ

IF = 70 mA, tp = 20 ms

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 70 mA TCI

Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 70 mA

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 70 mA

TCV

Temperature coefficient of VF, IF = 70 mA

Temperaturkoeffizient von λ, IF = 70 mA

TCλ

Temperature coefficient of λ, IF = 70 mA

SFH 4243

Wert

Value

0.2 × 0.2

11

Einheit

Unit

mm²

ns

1.6 (< 2.0)

V

2.4 (< 3.0)

V

not designed for μA

reverse

operation

33

mW

– 0.5

– 3.5

+ 0.3

%/K

mV/K

nm/K

2009-08-25

3

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