TIM1414-5L Ver la hoja de datos (PDF) - Toshiba

Número de pieza

componentes Descripción

Lista de partido

TIM1414-5L

MICROWAVE POWER GaAs FET

Toshiba 

TIM1414-5L

Power Dissipation(PT) vs. Case Temperature(Tc)

40

30

20

10

0

0

40

80

120

160

200

Tc( °C )

IM3 vs. Output Power Characteristics

-10 VDS= 9 V

IDS≅2.0A

f= 14.25GHz

-20 Δf= 5MHz

-30

-40

-50

-60

22

24

25

27

29

31

Po(dBm), Single Carrier Level

4

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