6R520E6(2014) Ver la hoja de datos (PDF) - Infineon Technologies

Número de pieza

componentes Descripción

Lista de partido

6R520E6
(Rev.:2014)

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Infineon Technologies 

Table 13

Typ. output characteristics TC=25 °C

600V CoolMOS" E6 Power Transistor

IPx60R520E6

Electrical characteristics diagrams

Typ. output characteristics Tj=125 °C

ID=f(VDS); Tj=25 °C; parameter: VGS

Table 14

Typ. drain-source on-state resistance

ID=f(VDS); Tj=125 °C; parameter: VGS

Drain-source on-state resistance

RDS(on)=f(ID); Tj=125 °C; parameter: VGS

RDS(on)=f(Tj); ID=2.8 A; VGS=10 V

Final Data Sheet

10

Rev. 2.02, 20104-0142-0190

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