TIM1414-2L Ver la hoja de datos (PDF) - Toshiba

Número de pieza

componentes Descripción

Lista de partido

TIM1414-2L

MICROWAVE POWER GaAs FET

Toshiba 

TIM1414-2L

Power Dissipation(PT) vs. Case Temperature(Tc)

25

20

15

10

0

0

40

80

120

160

200

Tc( °C )

IM3 vs. Output Power Characteristics

-10 VDS= 9 V

IDS≅0.85A

f= 14.5GHz

-20 Δf= 5MHz

-30

-40

-50

-60

17

19

21

23

25

27

Po(dBm), Single Carrier Level

4

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