BAS16HYFHT116 Ver la hoja de datos (PDF) - ROHM Semiconductor

Número de pieza

componentes Descripción

Lista de partido

BAS16HYFHT116

Switching Diode (High speed switching)

ROHM Semiconductor 

BAS16HYFH

●Characteristics 　 (Ta = 25ºC)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　 Data sheet

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

Symbol

VF

IR

Ct

trr

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

IF=1mA

- - 715 mV

IF=10mA

- - 855 mV

IF=50mA

- - 1.00 V

IF=150mA

- - 1.25 V

VR=80V Tj=25℃

- - 0.5 μA

VR=25V Tj=150℃

- - 30 μA

VR=80V Tj=150℃

- - 50 μA

VR=0V f=1.0MHz

- - 2.0 pF

IF=IR=10mA RL=100Ω Irr=1mA - - 4.0 ns

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2020/05/27_Rev.001

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