HM1488D Ver la hoja de datos (PDF) - Unspecified
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HM1488D Datasheet PDF : 12 Pages
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HM1488D
补偿电容CC 和电阻 RC 一起来形成零点。该零点位置靠近主极点fP1，但是小于期望的交叉频率的1/5。CC 可通过下
列公式获得：
CC
=
2π
1.5
* RC
*
fP1
，公式可以简化为： CC
=
CO * RL
RC
温度管理
在降压电路HM1488D中，高脉冲电流流过两个环路。 第一个环路，从输入电容，到VIN管脚，到LX pad，到滤波
电感，到输出电容和负载，然后通过地返回输入电容。当高侧开关开启时，电流流过第一个环路。第二个环路从电感
开始，到输出电容和负载，到低侧N-Channel MOSFET 。当低侧N-Channel MOSFET开启时，电流流过第二个环路。
在PCB版图中，减小两个环路面积可以减小电路噪声和改善效率。 强烈建议一个地平面连接输入电容，输出电容和
PGND管脚。在 HM1488D 降压电路中，主要功耗在于HM1488D和输出电感。稳压器电路总的功耗可以通过输入功率减
去输出功率测得： Ptotal_loss = VIN *IIN - VO *IO
电感的功耗可以通过输出电流和电感的DCR值近似计算： Pinductor_loss =IO2 *Rinductor *1.1
实际节温可以通过HM1488D的功耗和芯片到环境的温度阻抗计算：
Tjunction = (Ptotal_loss -Pinductor_loss) * ΘJA
HM1488D的最大节温为150℃，其限制最大负载电流。
HM1488D的温度性能受PCB版图影响严重。设计过程中要注意确保IC能够在推荐的环境温度下正常工作。
版图考虑
HM1488D采用带散热盘的EOP8封装。为获得最佳的电气和温度性能，需要注意几个版图细节：
1.散热盘LX连接至内部的PChannel MOSFET和N-Channel MOSFET漏极。在LX连接一个大的覆铜区域以增加散热
性能。
2.在VIN和PGND采用最大化的覆铜以增加散热。
3.输入电容应该尽可能靠近VIN管脚和PGND管脚。
4.推荐使用地平面。如果没有地平面，那就把PGND远离AGND，并且只在一个点连接他们，这样可以避免PGND噪声
耦合到AGND。
5.确保从LX pad 到L到Co到PGND的电流路径尽可能短。
6.在板上不用的区域覆上铜，并连接至稳定的直流点，像VIN, GND 或 VOUT。
7.保证敏感信号路径远离LX pad。
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