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Número de pieza(s) : W19B320BT W19B320BB
Winbond
componentes Descripción : 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory
(Rev - 2008)
Número de pieza(s) : W19B320BT W19B320BB W19B320BT-H W19B320BB-H W19B320BT-M W19B320BB-M
Winbond
componentes Descripción : 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory
Silicon Storage Technology
componentes Descripción : 2 Mbit flash + 1 Mbit SRAM ComboMemory
Silicon Storage Technology
componentes Descripción : 2 Mbit flash + 1 Mbit SRAM ComboMemory (Rev - 2001)
Número de pieza(s) : SST31LF041 SST31LF041A SST31LF043 SST31LF043A SST31LF041-70-4C-WH SST31LF041-70-4C-WI SST31LF041-70-4E-WH SST31LF041-70-4E-WI SST31LF041-300-4C-WH SST31LF041-300-4C-WI
Silicon Storage Technology
componentes Descripción : 4 Mbit flash + 1 Mbit or 256 Kbit SRAM ComboMemory
Número de pieza(s) : MT28S2M32B1LC MT28S4M16B1LC MT28S4M16B1LCTG-7E MT28S4M16B1LCTG-7EET MT28S4M16B1LCTG-75 MT28S4M16B1LCTG-75ET MT28S4M16B1LCFG-7E MT28S4M16B1LCFG-7EET MT28S4M16B1LCFG-75 MT28S4M16B1LCFG-75ET
Micron Technology
componentes Descripción : SYNCFLASH® memory
Número de pieza(s) : HY29DL162 HY29DL163 HY29DL162TT-70 HY29DL162TT-70I HY29DL162TT-80 HY29DL162TT-80I HY29DL162TT-90 HY29DL162TT-90I HY29DL162TT-12 HY29DL162TT-12I
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual bank, Simultaneous Read/Write flash memory
Número de pieza(s) : SST38VF166-70-4C-EK SST38VF166
Silicon Storage Technology
componentes Descripción : 16 Megabit flashbank memory
Número de pieza(s) : HY29DS162 HY29DS163 HY29DS162TT-12 HY29DS162TT-12I HY29DS162TT-13 HY29DS162TT-13I HY29DS162TF-12 HY29DS162TF-12I HY29DS162TF-13 HY29DS162TF-13I
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 16 Megabit (2M x 8/1M x 16) Super-Low Voltage, Dual bank, Simultaneous Read/Write, flash memory
Número de pieza(s) : CMOS-6 CMOS-6A CMOS-6V CMOS-6X
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : 1.0-MICRON CMOS GATE ARRAYS
Número de pieza(s) : CMOS-4 CMOS-4A
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : 1.5-Micron CMOS-4 and -4A
Número de pieza(s) : HY29DS322 HY29DS323
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 32 Megabit (4M x 8/2M x16) Super-Low Voltage, Dual bank, Simultaneous Read/Write, flash memory
Número de pieza(s) : TIP250 TIP250-10 TIP250-DOC TIP250-ED TIP250-SW-12 TIP250-SW-32 TIP250-SW-42 TIP250-SW-62 TIP250-SW-72 TIP250-SW-82
Unspecified
componentes Descripción : 8 Mbytes flash memory
Número de pieza(s) : M5M29GB/T161BWG
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : 16,777,216-BIT (1048,576-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE flash memory
Número de pieza(s) : MBM29DL64DF MBM29DL64DF70TN MBM29DL64DF70PBT MBM29DL64DF-70TN MBM29DL64DF-70PBT MBM29DL64 MBM29DL64DF-70
Fujitsu
componentes Descripción : 64 M (8 M ×8/4 M ×16) BIT flash memory
Número de pieza(s) : MT28S4M16LCTG-10 MT28S4M16LC MT28S4M16LCTG-12
Micron Technology
componentes Descripción : SYNCFLASH® memory
Número de pieza(s) : HN29V1G91T-30
Renesas Electronics
componentes Descripción : 128M × 8-bit AG-AND flash memory
Número de pieza(s) : SST34HF1681 SST34HF1601-70-4C-L1P SST34HF1601-70-4E-L1P SST34HF1601-90-4C-L1P SST34HF1601-90-4E-L1P SST34HF1681-70-4C-L1P SST34HF1681-70-4E-L1P SST34HF1681-90-4C-L1P SST34HF1681-90-4E-L1P
Silicon Storage Technology
componentes Descripción : 16 Mbit Concurrent Superflash + 8 Mbit SRAM ComboMemory
Número de pieza(s) : MBM29DL640E MBM29DL640E12 MBM29DL640E12PBT MBM29DL640E12TN MBM29DL640E12TR MBM29DL640E80 MBM29DL640E80PBT MBM29DL640E80TN MBM29DL640E80TR MBM29DL640E90
Fujitsu
componentes Descripción : 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT Dual Operation
Número de pieza(s) : K8P5616UZB K8P5616UZB-EC4E K8P5616UZB-EE4E K8P5616UZB-EI4E K8P5616UZB-PC4E K8P5616UZB-PE4E K8P5616UZB-PI4E
Samsung
componentes Descripción : 256Mb B-die Page NOR flash