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Número de pieza(s) : SST2603
Secos Corporation.
componentes Descripción : -5A, -20V, RDS(ON) 65mΩ P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Número de pieza(s) : SST2603
Secos Corporation.
componentes Descripción : -5A, -20V, RDS(ON) 65mΩ P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET (Rev - 2010)
Número de pieza(s) : SST2602
Secos Corporation.
componentes Descripción : 6.3A, 20V, RDS(ON) 34mΩ N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Número de pieza(s) : SSF1332E
Secos Corporation.
componentes Descripción : 0.6A, 20V,RDS(ON) 600mΩ N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Número de pieza(s) : SSM2306A
Secos Corporation.
componentes Descripción : 5A, 30V,RDS(ON) 35mΩ N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Número de pieza(s) : AO9926
Alpha Industries
componentes Descripción : Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Número de pieza(s) : ACE2341
ACE Technology Co., LTD.
componentes Descripción : P-Channel Enhancement Mode MOSFET (Rev - V2)
Número de pieza(s) : ACE2341 ACE2341BM+H
ACE Technology Co., LTD.
componentes Descripción : P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Número de pieza(s) : CEM9433
Chino-Excel Technology
componentes Descripción : P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Número de pieza(s) : SST2605
Secos Corporation.
componentes Descripción : -4.0A, -30V, RDS(ON) 80mΩ P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET (Rev - 2002)
Número de pieza(s) : SST2622
Secos Corporation.
componentes Descripción : 520mA, 50V, RDS(ON) 1.8Ω N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET (Rev - 2002)
Número de pieza(s) : IRLR024N IIRLR024N
Inchange Semiconductor
componentes Descripción : N-Channel MOSFET Transistor
Número de pieza(s) : SSM2308
Secos Corporation.
componentes Descripción : 3A, 60V,RDS(ON) 160mΩ N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Número de pieza(s) : SST2604
Secos Corporation.
componentes Descripción : 5.5A, 30V, RDS(ON) 45mΩ N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Número de pieza(s) : SST2622
Secos Corporation.
componentes Descripción : 520mA, 50V, RDS(ON) 1.8Ω N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Número de pieza(s) : SMG2309
Secos Corporation.
componentes Descripción : -3.7A, -30V,RDS(ON) 75mΩ P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Número de pieza(s) : SST2625
Secos Corporation.
componentes Descripción : -2.3A, -30V, RDS(ON) 135mΩ P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Número de pieza(s) : SSM2310
Secos Corporation.
componentes Descripción : 3A, 60V,RDS(ON) 90mΩ N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Número de pieza(s) : CEM2401
Chino-Excel Technology
componentes Descripción : P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Número de pieza(s) : SST2605
Secos Corporation.
componentes Descripción : -4.0A, -30V, RDS(ON) 80mΩ P-Channel Enhancement Mode Mos.FET (Rev - 2010)