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Número de pieza(s) : MAAPSS0071 MAAPSS0071TR-3000 MAAPSS0071SMB
Tyco Electronics
componentes Descripción : DECT Power Amplifier 1880 - 1930 MHz
Número de pieza(s) : MAAPSS0076 MAAPSS0076TR-3000 MAAPSS0076SMB
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
componentes Descripción : DECT Power Amplifier 1880 - 1930 MHz
Número de pieza(s) : MAAPSS0071 MAAPSS0071TR-3000 MAAPSS0071SMB
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
componentes Descripción : DECT Power Amplifier 1880 - 1930 MHz
Número de pieza(s) : MAAPSS0076 MAAPSS0076TR-3000 MAAPSS0076SMB
Tyco Electronics
componentes Descripción : DECT Power Amplifier 1880 - 1930 MHz
Número de pieza(s) : UAA3545HL UAA3545
Philips Electronics
componentes Descripción : Fully integrated DECT transceiver
Número de pieza(s) : MRF6S18060MR1 MRF6S18060MBR1
Freescale Semiconductor
componentes Descripción : RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Número de pieza(s) : UAA2068AHL
Philips Electronics
componentes Descripción : Transmit chain and synthesizer with integrated VCO for DECT
Número de pieza(s) : UAA2068 UAA2068G
Philips Electronics
componentes Descripción : Transmit chain and synthesizer with integrated VCO for DECT
Número de pieza(s) : MRF6S18060NR1 MRF6S18060NBR1
Freescale Semiconductor
componentes Descripción : RF Power Field Effect Transistors (Rev - 2006)
Número de pieza(s) : MRF6S18100NR1 MRF6S18100NBR1
Freescale Semiconductor
componentes Descripción : RF Power Field Effect Transistors (Rev - 2006)
Número de pieza(s) : MHV5IC1810N MHV5IC1810NR2
NXP Semiconductors.
componentes Descripción : RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
Número de pieza(s) : MW7IC18100GNR1 MW7IC18100NBR1 MW7IC18100NR1
Freescale Semiconductor
componentes Descripción : 1990 MHz, 100 W, 28 V GSM/GSM EDGE RF LDMOS WIDEBAND INTEGRATED Power AmplifierS
Número de pieza(s) : MHV5IC1810NR2 MHV5IC1810N
Freescale Semiconductor
componentes Descripción : RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
Número de pieza(s) : BLF6G22L-40P BLF6G22LS-40P
NXP Semiconductors.
componentes Descripción : Power LDMOS transistor
Número de pieza(s) : BLF6G22L-40P BLF6G22LS-40P
Ampleon
componentes Descripción : Power LDMOS transistor
Número de pieza(s) : AGR19030EF
TriQuint Semiconductor
componentes Descripción : 30 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
Número de pieza(s) : AGR19060E AGR19060EF AGR19060EU
TriQuint Semiconductor
componentes Descripción : 60 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
Número de pieza(s) : BLP8G21S-160PV
Ampleon
componentes Descripción : Power LDMOS transistor
Número de pieza(s) : BLP8G21S-160PV
NXP Semiconductors.
componentes Descripción : Power LDMOS transistor
Número de pieza(s) : BLF7G20L-250P BLF7G20LS-250P
Ampleon
componentes Descripción : Power LDMOS transistor