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Número de pieza(s) : WNMD2172 WNMD2172-8/TR
Will Semiconductor Ltd.
componentes Descripción : Dual N-Channel, 20V, 7.0A, Power MOSFET
Número de pieza(s) : WNMD2158 WNMD2158-8/TR
Will Semiconductor Ltd.
componentes Descripción : Dual N-Channel, 20V, 7.0A, Power MOSFET
Número de pieza(s) : YJS8205B
Yangzhou yangjie electronic co., Ltd
componentes Descripción : N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Número de pieza(s) : YJL3416A
Yangzhou yangjie electronic co., Ltd
componentes Descripción : N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Número de pieza(s) : YJC2007A
Yangzhou yangjie electronic co., Ltd
componentes Descripción : N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Número de pieza(s) : ITF87008DQT ITF87008DQT2
Intersil
componentes Descripción : 7.0A, 20V, 0.023 Ohm, Dual N-Channel, 2.5V Specified Power MOSFET
Número de pieza(s) : C5430-DUAL
Vectron International
componentes Descripción : VCXO
Número de pieza(s) : BFC42
Semelab - > TT Electronics plc
componentes Descripción : 4TH GENERATION MOSFET
Número de pieza(s) : 2SK2084L K2084L
Inchange Semiconductor
componentes Descripción : N-Channel MOSFET Transistor
Número de pieza(s) : 2SK2418L
Inchange Semiconductor
componentes Descripción : N-Channel MOSFET Transistor
Número de pieza(s) : 2SK2418S K2418S
Inchange Semiconductor
componentes Descripción : N-Channel MOSFET Transistor
Número de pieza(s) : 2SK2084S K2084S
Inchange Semiconductor
componentes Descripción : N-Channel MOSFET Transistor
Número de pieza(s) : H12N65 H12N65E H12N65F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
componentes Descripción : N-Channel Power MOSFET (650V,12A)
Número de pieza(s) : SRF3020CT SRF3020CT-20V-ITO-220AB
Nanjing International Group Co
componentes Descripción : SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Número de pieza(s) : STS4DNFS30L 4DFS30L
STMicroelectronics
componentes Descripción : N-channel 30 V, 0.044 Ω, 4 A SO-8 STripFET™ MOSFET plus SCHOTTKY rectifier (Rev - 2011)
Número de pieza(s) : PJM204A5DPPA
Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,
componentes Descripción : Dual P-Enhancement Field Effect Transistor
ON Semiconductor
componentes Descripción : 640 (H) x 480 (V) Interline CCD Image Sensor
Número de pieza(s) : IXZR16N60 IXZR16N60A IXZR16N60B
IXYS CORPORATION
componentes Descripción : NChannel Enhancement Mode RF MOSFET
Número de pieza(s) : YJL07P03AL
Yangzhou yangjie electronic co., Ltd
componentes Descripción : P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Número de pieza(s) : H12N60 H12N60F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
componentes Descripción : N-Channel Power MOSFET (600V,12A)