P/N + Descripción + Búsqueda de contenido
Número de pieza(s) : 2SC4703SF 2SC4703SE C4703 2SC4703 2SC4703SH
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : MICROWAVE LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : BLH3355
Shanghai Belling Co., Ltd.
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP
Número de pieza(s) : MMBTSC3356
Semtech Electronics LTD.
componentes Descripción : NPN SILICON EPITAXIAL Planar TRANSISTOR
Número de pieza(s) : MMBTSC3356W
Semtech Electronics LTD.
componentes Descripción : NPN SILICON EPITAXIAL Planar TRANSISTOR
Número de pieza(s) : BTC5177N3
Cystech Electonics Corp.
componentes Descripción : High Frequency NPN EPITAXIAL Planar TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 2SC3603 C3603
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION
Número de pieza(s) : C3603 2SC3603
eleflow technologies co., ltd.
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION
Número de pieza(s) : BLH3355
Unspecified
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP
Número de pieza(s) : NE85633 2SC3356-T1B-A 2SC3356-T1B 2SC3356-A C3356 2SC3356 NE85633-A NE85633-T1B NE85633-T1B-A
California Eastern Laboratories.
componentes Descripción : NPN SILICON RF TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 2SC3356-T1B-A 2SC3356-T1B C3356 2SC3356 2SC3356-A
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 2SC3583-L 2SC3583-T1B 2SC3583-T2B 2SC3583Q 2SC3583R 2SC3583S C3583 C3583-L C3583-T1B C3583-T2B
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : C4536 2SC4536QS 2SC4536QR 2SC4536QQ 2SC4536
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 2SC5194-T2 2SC5194-T1 2SC5194 C5194
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 2SC5195 2SC5195-T1
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 2SC5191 C5191 2SC5191-T1 2SC5191-T2
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 2SC3583 C3583
Renesas Electronics
componentes Descripción : MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : C2149 C2148 2SC2149 2SC2148
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : NE68133 2SC3583-T1B-A 2SC3583-T1B C3583 2SC3583 NE68133-T1B NE68133-T1B-A
California Eastern Laboratories.
componentes Descripción : MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 2SC3582 C3582
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 2SC1000 C1000 2SC1000-GR 2SC1000-BL
Unspecified
componentes Descripción : SILICON NPN EPITAXIAL TRANSISTOR (PCT PROCESS)