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Número de pieza(s) : TA4007F
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA MOS TYPE INTEGRATED CIRCUIT Silicon MONOLITHIC
Número de pieza(s) : 3SK153
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR Silicon N CHANNEL Dual Gate MOS TYPE
Número de pieza(s) : 3SK259
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR Silicon N CHANNEL Dual Gate MOS TYPE
Número de pieza(s) : TA4006F
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA MOS TYPE INTEGRATED CIRCUIT Silicon MONOLITHIC
Número de pieza(s) : 3SK222 3SK222-T2 3SK222-T1
NEC => Renesas Technology
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Número de pieza(s) : MMBT9018
Kingtronics International Company
Kingtronics International Company
componentes Descripción : NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors
Número de pieza(s) : MMBT9018
Nanjing International Group Co
Nanjing International Group Co
componentes Descripción : NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
Número de pieza(s) : MMBT9018W
Semtech Electronics LTD.
Semtech Electronics LTD.
componentes Descripción : NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
Número de pieza(s) : MMBT9018H MMBT9018G
Semtech Electronics LTD.
Semtech Electronics LTD.
componentes Descripción : NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
Número de pieza(s) : 3SK225
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Dual Gate MOS Type (Rev - 2007)
Número de pieza(s) : 3SK225
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Dual Gate MOS Type
Número de pieza(s) : 3SK257
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : N-CHANNEL Dual Gate MOS TYPE FIELD EFFECT TRNASISTOR
Número de pieza(s) : S9018
SHIKE Electronics
SHIKE Electronics
componentes Descripción : NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
Continental Device India Limited
Continental Device India Limited
componentes Descripción : NPN Silicon PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
Número de pieza(s) : KSK161
Samsung
Samsung
componentes Descripción : Silicon N-CHANNEL JUNCTION FET
Número de pieza(s) : KSK211
Samsung
Samsung
componentes Descripción : Silicon N-CHANNEL JUNCTION FET
Número de pieza(s) : H9018
Shantou Huashan Electronic Devices
Shantou Huashan Electronic Devices
componentes Descripción : NPN Silicon TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 3SK131
NEC => Renesas Technology
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 2SC1812
SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD
SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD
componentes Descripción : NPN EPITAXIAL Silicon TRANSISTOR
Número de pieza(s) : H9018
Unspecified
Unspecified
componentes Descripción : NPN Silicon TRANSISTOR
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