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Número de pieza(s) : MRF151A
Tyco Electronics
componentes Descripción : The RF MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Número de pieza(s) : MRF255PHT MRF255PHOTOMASTER
Motorola => Freescale
componentes Descripción : RF Power Field-Effect Transistor
Número de pieza(s) : RF-0505D RF-0505DH RF-0505S RF-0505SH RF-0509D RF-0509DH RF-0509S RF-0509SH RF-0512D RF-0512DH
RECOM Electronic GmbH
componentes Descripción : ECONOLINE - DC/DC-Converter RF Series, 1.25 Watt, DIP8 (Single & Dual Output)
Número de pieza(s) : 3SK199
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA Field Effect Transistor SILICON N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE
Número de pieza(s) : 3SK283
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA Field Effect Transistor GaAs N-CHANNEL DUAL GATE MES TYPE
Número de pieza(s) : 3SK153
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA Field Effect Transistor SILICON N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE
Número de pieza(s) : 3SK259
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA Field Effect Transistor SILICON N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE
Número de pieza(s) : NJ14AL
InterFET
componentes Descripción : Silicon Junction Field-Effect Transistor
Número de pieza(s) : BF410 BF410A BF410B BF410C BF410D Q68000-A5172 Q68000-A5173 Q68000-A5174 Q68000-A5175 Q68000-A5440
Siemens AG
componentes Descripción : Low-Noise N-Channel Junction Field-Effect Transistor for RF Applications
Número de pieza(s) : MRF182
Advanced Semiconductor
componentes Descripción : RF Power FET Transistor
Número de pieza(s) : 3SK131
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : MOS Field Effect Transistor
Número de pieza(s) : SD4933MR M177MR
STMicroelectronics
componentes Descripción : 50 V moisture resistant DMOS Transistor for ISM applications
Número de pieza(s) : AN211A
Motorola => Freescale
componentes Descripción : Fifeld Effect Transistors in Theory and Practice
Número de pieza(s) : MTD4P05 MTD4P06
Motorola => Freescale
componentes Descripción : Power Field Effect Transistor
Número de pieza(s) : AGR19030EF
TriQuint Semiconductor
componentes Descripción : 30 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
Número de pieza(s) : AGR19060E AGR19060EF AGR19060EU
TriQuint Semiconductor
componentes Descripción : 60 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
Número de pieza(s) : 2SJ139
Unspecified
componentes Descripción : MOS Field Effect Power Transistor
Número de pieza(s) : 2SJ141
Unspecified
componentes Descripción : MOS Field Effect Power Transistor
Número de pieza(s) : 2SJ154
Unspecified
componentes Descripción : MOS Field Effect Power Transistor
Número de pieza(s) : 3SK224 3SK224-T2
NEC => Renesas Technology
componentes Descripción : MOS Field Effect Transistor