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Número de pieza(s) : 20DL2CZ 20DL2CZ47A 20FL2CZ 20FL2CZ47A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
Número de pieza(s) : 20JL2C41A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
Número de pieza(s) : 16DL2C 16DL2C41A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
Número de pieza(s) : 16FL2CZ47A 16DL2CZ47A 16DL2DZ47A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
Número de pieza(s) : 10JL2C48A U10JL2C48A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
Número de pieza(s) : 5DL2C41A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE (Rev - 1996)
Número de pieza(s) : 10JL2CZ47A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
Número de pieza(s) : 20DL2C48A U20DL2C48A 20FL2C48A U20FL2C48A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
Número de pieza(s) : 20DL2C 20DL2C41A 20DL2CZ41A 20FL2C 20FL2C41A 20FL2CZ41A 20GL2C 20GL2C41A 20GL2CZ41A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
Número de pieza(s) : 10DL2CZ 10DL2CZ47A 10FL2CZ 10FL2CZ47A 10GL2CZ 10GL2CZ47A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK(HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
Número de pieza(s) : 5DL2C41A 5DL2C41A(Q)
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
Número de pieza(s) : 20DL2C48A U20DL2C48A 20FL2C48A U20FL2C48A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE (Rev - 2000)
Número de pieza(s) : 10JL2C48A U10JL2C48A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE (Rev - 1999)
Número de pieza(s) : 10JL2CZ 10JL2CZ47
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
Número de pieza(s) : 20JL2C 20JL2C41
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
Número de pieza(s) : 20DL2CZ51A 20FL2CZ51A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
Número de pieza(s) : 30JL2C41
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
Número de pieza(s) : 5DL2C41A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE (Rev - 2001)
Número de pieza(s) : 5DL2CZ 5DL2CZ47A 5FL2CZ47A 5GL2CZ47A
Toshiba
componentes Descripción : SILICON EPITAXIAL TYPE HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED)
Número de pieza(s) : 1DL41A
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA HIGH EFFICIENCY Rectifier (HED) SILICON EPITAXIAL Junction TYPE (Rev - 2000)