EM564166 Ver la hoja de datos (PDF) - Etron Technology

Número de pieza

componentes Descripción

Lista de partido

EM564166

256K x 16 Low Power SRAM

Etron Technology 

EtronTech

EM564166

Data Retention Characteristics (Ta = -40°C to 85°C)

Symbol

Parameter

VDR

Data Retention Supply

Voltage

CE# ≥ VDD - 0.2V,

VIN ≥ VDD - 0.2V or VIN ≤ 0.2V

IDR Data Retention Current

VDD = 1.0V, CE# ≥ VDD - 0.2V,

VIN ≥ VDD - 0.2V or VIN ≤ 0.2V

tSDR Chip Deselect to Data Retention Mode Time

tRDR Recovery Time

Min

Typ Max Unit

1.0

− 3.6 V

−

0.5 3.5 µA

0

− − ns

tRC

− − ns

CE# Controlled Data Retention Mode

VDD

2.7V

tSDR

Data Retention Mode

tRDR

2.2V

VDR

CE#

GND

Note 1

Note:

1. CE# ≥ VDD – 0.2V or UB# = LB# ≥ VDD – 0.2V

Preliminary

10

Rev 1.0

May 2001

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