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Número de pieza(s) : M12L16161A M12L16161A(2Q) M12L16161A-5TIG2Q M12L16161A-7TIG2Q
Unspecified
componentes Descripción : 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : T431616C T431616C-6S T431616C-6SG T431616C-7S T431616C-7SG
Taiwan Memory Technology
componentes Descripción : 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : M12L16161A M12L16161A-5TIG M12L16161A-7BIG M12L16161A-7TIG
[Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
componentes Descripción : 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : HY57V561620 HY57V561620LT HY57V561620LT-8 HY57V561620LT-H HY57V561620LT-HP HY57V561620LT-P HY57V561620LT-S HY57V561620T HY57V561620T-8 HY57V561620T-H
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : HY57V641620HG HY57V641620HGLT-5 HY57V641620HGLT-5/55/6/7 HY57V641620HGLT-55 HY57V641620HGLT-6 HY57V641620HGLT-7 HY57V641620HGLT-8 HY57V641620HGLT-H HY57V641620HGLT-K HY57V641620HGLT-P
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : HY57V561620C HY57V561620CL-I HY57V561620CLT-6I HY57V561620CLT-8I HY57V561620CLT-HI HY57V561620CLT-I HY57V561620CLT-KI HY57V561620CLT-PI HY57V561620CLT-SI HY57V561620CT-6I
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : HY57V121620 HY57V121620LT HY57V121620T HY57V121620T-6 HY57V121620T-K HY57V121620T-H HY57V121620T-8 HY57V121620T-P HY57V121620T-S HY57V121620LT-6
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 4 Banks x 8M x 16Bit Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : HY57V561620B-I HY57V561620BLT-6I HY57V561620BLT-8I HY57V561620BLT-HI HY57V561620BLT-I HY57V561620BLT-KI HY57V561620BLT-PI HY57V561620BLT-SI HY57V561620BT-6I HY57V561620BT-8I
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : HY57V651620B HY57V651620BTC-55 HY57V651620BTC-6 HY57V651620BTC-7 HY57V651620BTC-75 HY57V651620BTC-8 HY57V651620BTC-10P HY57V651620BTC-10S HY57V651620BTC-10 HY57V651620BLTC-55
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : HY57V561620B HY57V561620BL/ST-6 HY57V561620BL/ST-7 HY57V561620BL/ST-8 HY57V561620BL/ST-H HY57V561620BL/ST-K HY57V561620BL/ST-P HY57V561620BL/ST-S HY57V561620BLT HY57V561620BLT-6
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : HY57V561620CLT HY57V561620CLTP HY57V561620CT HY57V561620CTP HY57V561620CLT-6 HY57V561620CLT-7 HY57V561620CLT-K HY57V561620CLT-H HY57V561620CLT-8 HY57V561620CLT-P
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : MH32D72AKLB-10 MH32D72AKLB-75 MH32D72AKLB
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : 2,415,919,104-BIT (33,554,432-WORD BY 72-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module
Número de pieza(s) : MH16S72PJB-8 MH16S72PJB-7 MH16S72PJB
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : 1207959552-BIT ( 16777216-WORD BY 72-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM
Número de pieza(s) : T4312816A T4312816A-6S T4312816A-7S T4312816A-7.5S T4312816A-8S T4312816A-10S
Taiwan Memory Technology
componentes Descripción : 8M x 16 SDRAM 2M x 16Bit x 4Banks Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : T431616A T431616A-7S T431616A-7C T431616A-7SI T431616A-7CI
Taiwan Memory Technology
componentes Descripción : 1M x 16 SDRAM 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : T431616A-7C T431616A-7CI T431616A-7S T431616A-7SI T431616A
Taiwan Memory Technology
componentes Descripción : 1M x 16 SDRAM 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : MH32D64AKQJ-10 MH32D64AKQJ MH32D64AKQJ-75
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : 2,147,483,684-BIT (33,554,432-WORD BY 64-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module
Número de pieza(s) : T4312816B T4312816B-6S T4312816B-6SG T4312816B-7S T4312816B-7SG
Taiwan Memory Technology
componentes Descripción : 8M x 16 SDRAM 2M x 16Bit x 4Banks Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : T431616B T431616B-20S T431616B-20C T431616B-10S T431616B-10C
Taiwan Memory Technology
componentes Descripción : 1M x 16 SDRAM 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM