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Número de pieza(s) : LH28F320BJE-PBTL90 LHF32J06
Sharp Electronics
componentes Descripción : FLASH MEMORY 32M (2M × 16/4M × 8)
Número de pieza(s) : W19B320BT W19B320BB W19B320BT-H W19B320BB-H W19B320BT-M W19B320BB-M
Winbond
componentes Descripción : 2.7~3.6-volt single BANK CMOS FLASH MEMORY
Número de pieza(s) : W19B320BT W19B320BB
Winbond
componentes Descripción : 2.7~3.6-volt single BANK CMOS FLASH MEMORY
(Rev - 2008)
Número de pieza(s) : HYS72V4120GU-10 HYS64V4120GU HYS64V4120GU-10
Siemens AG
componentes Descripción : 3.3V 4M x 64-Bit 2 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit 2 BANK SDRAM Module 168 pin unbuffered DIMM Modules
Número de pieza(s) : HYS64V2200GU-8 HYS72V2200GU-8 HYS64V4220GU-8 HYS72V4220GU-8 HYS64V2200GU-8-3 HYS72V2200GU-8-3 HYS64V4220GU-8-3 HYS72V4220GU-8-3 HYS64V2200GU-10 HYS72V2200GU-10
Infineon Technologies
componentes Descripción : 3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module
Número de pieza(s) : HYS64V2200GU-10 HYS64V2200GU-8 HYS64V2200GU-8-3 HYS64V4220GU-10 HYS64V4220GU-8 HYS64V4220GU-8-3 HYS72V2200GU-10 HYS72V2200GU-8 HYS72V2200GU-8-3 HYS72V4220GU-10
Siemens AG
componentes Descripción : 3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module
Número de pieza(s) : ES29LV320D
Excel Semiconductor Inc.
componentes Descripción : 32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector FLASH MEMORY
Número de pieza(s) : ES29LV320E
Excel Semiconductor Inc.
componentes Descripción : 32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector FLASH MEMORY
Número de pieza(s) : TC5816BFT
Toshiba
componentes Descripción : 16 MBIT (2M x 8 BITS) CMOS NAND FLASH E2PROM
Número de pieza(s) : ES29DL320
Excel Semiconductor Inc.
componentes Descripción : 32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation FLASH MEMORY
Número de pieza(s) : LH28F160BJHE-TTL90 LHF16J04
Sharp Electronics
componentes Descripción : FLASH MEMORY 16M (1M × 16/2M × 8)
Número de pieza(s) : TC5816BDC
Toshiba
componentes Descripción : 16 MBIT (2M x 8 BITS) CMOS NAND FLASH E2PROM
Número de pieza(s) : LH28F320BJE-PTTL90
Sharp Electronics
componentes Descripción : FLASH MEMORY 32M (2M × 16/4M × 8)
Número de pieza(s) : 29LV160CBMC-55Q 29LV160CBMC-55R 29LV160CBMC-70 29LV160CBMC-70G 29LV160CBMC-90 29LV160CBMC-90G 29LV160CBMI-55Q 29LV160CBMI-55R 29LV160CBMI-70 29LV160CBMI-70G
Unspecified
componentes Descripción : 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
Número de pieza(s) : HY29DS322 HY29DS323
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 32 Megabit (4M x 8/2M x16) Super-Low Voltage, Dual BANK, Simultaneous Read/Write, FLASH MEMORY
Número de pieza(s) : FT29F200CT FT29F200CB FT29F200CTMI-70 FT29F200CTMI-90 FT29F200CTTI-70 FT29F200CTTI-90 FT29F200CBMI-70 FT29F200CBMI-90 FT29F200CBTI-70 FT29F200CBTI-90
Force Technologies Ltd
componentes Descripción : 2M-BIT [256K x 8 / 128K x 16] SINGLE VOLTAGE 5V ONLY FLASH MEMORY
Número de pieza(s) : NF2EB-12V NF2EB-24V NF2EB-2M-12V NF2EB-2M-12V1 NF2EB-2M-24V NF2EB-2M-24V1 NF2EB-2M-48V NF2EB-2M-48V1 NF2EB-2M-5V NF2EB-2M-5V1
Matsushita Electric Works
componentes Descripción : (NF Relays) Flatpack Relay
Número de pieza(s) : HY29DS162 HY29DS163 HY29DS162TT-12 HY29DS162TT-12I HY29DS162TT-13 HY29DS162TT-13I HY29DS162TF-12 HY29DS162TF-12I HY29DS162TF-13 HY29DS162TF-13I
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 16 Megabit (2M x 8/1M x 16) Super-Low Voltage, Dual BANK, Simultaneous Read/Write, FLASH MEMORY
Número de pieza(s) : MBM29DL640E MBM29DL640E12 MBM29DL640E12PBT MBM29DL640E12TN MBM29DL640E12TR MBM29DL640E80 MBM29DL640E80PBT MBM29DL640E80TN MBM29DL640E80TR MBM29DL640E90
Fujitsu
componentes Descripción : 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT Dual Operation
Número de pieza(s) : HY29DL162 HY29DL163 HY29DL162TT-70 HY29DL162TT-70I HY29DL162TT-80 HY29DL162TT-80I HY29DL162TT-90 HY29DL162TT-90I HY29DL162TT-12 HY29DL162TT-12I
Hynix Semiconductor
componentes Descripción : 16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual BANK, Simultaneous Read/Write FLASH MEMORY