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Número de pieza(s) : STT3402N
Secos Corporation.
componentes Descripción : 6.3 A, 30 V, RDS(ON) 27 mΩ N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
Número de pieza(s) : TPC8122
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅤ)
Número de pieza(s) : TPC8303 C8303
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U−MOSII)
Número de pieza(s) : STT3434
Secos Corporation.
componentes Descripción : 6.1 A, 30 V, RDS(ON) 34 mΩ N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Número de pieza(s) : SSP7432N
Secos Corporation.
componentes Descripción : 27 A, 30 V, RDS(ON) 4.9 mΩ N-Channel Enhancement MOSFET (Rev - 2010)
Número de pieza(s) : SSP7434N
Secos Corporation.
componentes Descripción : 27 A, 30 V, RDS(ON) 4.9 mΩ N-Channel Enhancement MOSFET
Número de pieza(s) : TPC8401
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (U−MOSII)
Número de pieza(s) : TPC8402
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (π−MOSVI/U−MOSII)
Número de pieza(s) : SSP1027
Secos Corporation.
componentes Descripción : -3.5 A, -20 V, RDS(ON) 97 mΩ P-Channel Enhancement Mode Mos.FET
Número de pieza(s) : STT3490N
Secos Corporation.
componentes Descripción : N-Channel Enhancement Mode Mos.FET 1.2 A, 150 V, RDS(ON) 700 mΩ
Número de pieza(s) : STT3470N
Secos Corporation.
componentes Descripción : 2.2 A, 100 V, RDS(ON) 280 mΩ N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
Número de pieza(s) : FDD8426H
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET
Número de pieza(s) : STT3423P
Secos Corporation.
componentes Descripción : -5.7 A, -20 V, RDS(ON) 42 mΩ P-Channel Enhancement Mode Mos.FET
Número de pieza(s) : STT3458N
Secos Corporation.
componentes Descripción : 3.4 A, 60 V, RDS(ON) 92 mΩ N-Channel Enhancement Mode Mos.FET
(Rev - 2010)
Número de pieza(s) : TPC8208
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) (Rev - 2003)
Número de pieza(s) : TPC8208
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
Número de pieza(s) : 2SK2398 K2398
Toshiba
componentes Descripción : Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV) Field Effect Transistor
Número de pieza(s) : 2SK2398 K2398
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV) (Rev - 2009)
Número de pieza(s) : SST2610
Secos Corporation.
componentes Descripción : 3 A, 60 V, RDS(ON) 90 mΩ N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
Número de pieza(s) : 2SK2398 K2398
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV) (Rev - 2006)