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componentes Descripción : 64M bit Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : S40B
MITSUBISHI ELECTRIC
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : 64M bit Synchronous DRAM
componentes Descripción : 64M bit Synchronous DRAM
MITSUBISHI ELECTRIC
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : 64M bit Synchronous DRAM
componentes Descripción : 64M Synchronous DRAM
componentes Descripción : 64M Synchronous DRAM
componentes Descripción : 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
componentes Descripción : 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
componentes Descripción : 64M Single Data Rate Synchronous DRAM
componentes Descripción : 64M Single Data Rate Synchronous DRAM
componentes Descripción : 64M Single Data Rate Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : S5L9291X01-T0R0 S5L9291X S5L9291
Samsung
Samsung
componentes Descripción : DIGITAL SIGNAL PROCESSOR
MITSUBISHI ELECTRIC
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : 9,663,676,416-bit ( 134,217,728-WORD BY 72-bit ) Synchronous DYNAMIC RAM
Número de pieza(s) : MH28D72KLG-10 MH28D72KLG-75
MITSUBISHI ELECTRIC
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : 9,663,676,416-bit (134,217,728-WORD BY 72-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module
MITSUBISHI ELECTRIC
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : 4,831,838,208-bit ( 67,108,864-WORD BY 72-bit ) Synchronous DYNAMIC RAM
componentes Descripción : 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
componentes Descripción : 64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : M5M4V64S30ATP-12
MITSUBISHI ELECTRIC
MITSUBISHI ELECTRIC
componentes Descripción : 64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM
Número de pieza(s) : NTE-DRAM
NTE Electronics
NTE Electronics
componentes Descripción : MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS
componentes Descripción : 64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
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