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Número de pieza(s) : MAAP-000080-MCH000 MAAP-000080-PKG003 MAAP-000080-SMB004 MAAP-000080-DIE000
Tyco Electronics
componentes Descripción : Amplifier, Power, 1 W 2-18 GHz
Número de pieza(s) : MAAPGM0072-DIE MAAPGM0072 MAAP-000072-PKG003 MAAP-000072-SMB003 MAAP-000072-MCH000
Tyco Electronics
componentes Descripción : Amplifier, Power, 1 W 17.7-19.7 GHz
Número de pieza(s) : QPD0050 QPD0050SR QPD0050TR7 QPD0050PCB4B01
Qorvo, Inc
componentes Descripción : 75 W, 48 V, DC to 3.6 GHz, GaN RF Power Transistor
Número de pieza(s) : SB035C015-1 SB035C015-1-W-AG
Transys Electronics Limited
componentes Descripción : Schottky cr Barrier Diode Wafer 35 Mils, 15 Volt, 1 Amp, 0.36VF.
Número de pieza(s) : SB039C020-1-W-AG
Transys Electronics Limited
componentes Descripción : Schottky cr Barrier Diode Wafer 39 Mils, 20 Volt, 1 Amp, 0.35VF.
Número de pieza(s) : SB051C025-1-W-AG
Transys Electronics Limited
componentes Descripción : Schottky cr Barrier Diode Wafer 51 Mils, 25 Volt, 1 Amp, 0.33VF.
Número de pieza(s) : SB051C015-1-W-AG
Transys Electronics Limited
componentes Descripción : Schottky cr Barrier Diode Wafer 51 Mils, 15 Volt, 1 Amp, 0.30VF.
Número de pieza(s) : SB039C025-1-W-AG
Transys Electronics Limited
componentes Descripción : Schottky cr Barrier Diode Wafer 39 Mils, 25 Volt, 1 Amp, 0.37VF.
Número de pieza(s) : SB039C040-1-W-AG
Transys Electronics Limited
componentes Descripción : Schottky cr Barrier Diode Wafer 39 Mils, 40 Volt, 1 Amp, 0.40VF.
Número de pieza(s) : QPD2195 QPD2195S2 QPD2195SQ QPD2195SR QPD2195PCB4B01
TriQuint Semiconductor
componentes Descripción : 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
Número de pieza(s) : SB051C020-1-W-AG
Transys Electronics Limited
componentes Descripción : Schottky cr Barrier Diode Wafer 51 Mils, 20 Volt, 1 Amp, 0.32VF
Número de pieza(s) : SB039C015-1-W-AG
Transys Electronics Limited
componentes Descripción : Schottky cr Barrier Diode Wafer 39 Mils, 15 Volt, 1 Amp, 0.35VF.
Número de pieza(s) : THN6601B
Tachyonics CO,. LTD
componentes Descripción : NPN SiGe RF TRANSISTOR
Número de pieza(s) : QPD0050
TriQuint Semiconductor
componentes Descripción : 75 W, DC to 3.6 GHz 48V GaN RF Power Transistor
Número de pieza(s) : MAPLST2122-090CF
Tyco Electronics
componentes Descripción : RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 — 2170 MHz, 90W, 28V
Número de pieza(s) : TGF2933
Qorvo, Inc
componentes Descripción : DC – 25 GHz, 28 V, 7 W GaN RF Transistor
Número de pieza(s) : TGF2934
Qorvo, Inc
componentes Descripción : DC – 25 GHz, 28 V, 14 W GaN RF Transistor
Número de pieza(s) : ABS07 ABS07-32.768KHZ ABS07-32.768KHZ-T ABS07-32.768KHZ-1 ABS07-32.768KHZ-1-T ABS07-32.768KHZ-4 ABS07-32.768KHZ-4-T ABS07-32.768KHZ-H ABS07-32.768KHZ-H-T ABS07-32.768KHZ-H-1
Abracon Corporation
componentes Descripción : 32.768kHz SMD LOW PROFILE CRYSTAL
Número de pieza(s) : MAPLST2122-030CF
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
componentes Descripción : LDMOS RF Line Power FET Transistor 30 W , 2110-2170 MHz, 28V
Número de pieza(s) : ABS07 ABS07-32.768KHZ ABS07-32.768KHZ-1 ABS07-32.768KHZ-1-T ABS07-32.768KHZ-4 ABS07-32.768KHZ-4-T ABS07-32.768KHZ-H ABS07-32.768KHZ-H-1 ABS07-32.768KHZ-H-1-T ABS07-32.768KHZ-H-4
Unspecified
componentes Descripción : 32.768kHz SMD LOW PROFILE CRYSTAL