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Número de pieza(s) : IXZR16N60 IXZR16N60A IXZR16N60B
IXYS CORPORATION
IXYS CORPORATION
componentes Descripción : NChannel Enhancement Mode RF MOSFET
Número de pieza(s) : H12N65 H12N65E H12N65F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
Hi-Sincerity Mocroelectronics
componentes Descripción : N-Channel Power MOSFET (650V,12A)
Número de pieza(s) : STS4DNFS30L 4DFS30L
STMicroelectronics
STMicroelectronics
componentes Descripción : N-channel 30 V, 0.044 Ω, 4 A SO-8 STripFET™ MOSFET plus SCHOTTKY rectifier (Rev - 2011)
Número de pieza(s) : FX853
SANYO -> Panasonic
SANYO -> Panasonic
componentes Descripción : MOSFET:N-Channel Silicon MOSFET SBD:Schottky Barrier Diode
Número de pieza(s) : BUZ31
Comset Semiconductors
Comset Semiconductors
componentes Descripción : POWER MOS TRANSISTORS
Número de pieza(s) : PAL007E
Pioneer Electronics
Pioneer Electronics
componentes Descripción : Car Audio Power Amplifier
Número de pieza(s) : H12N60 H12N60F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
Hi-Sincerity Mocroelectronics
componentes Descripción : N-Channel Power MOSFET (600V,12A)
Número de pieza(s) : 2304
Unspecified
Unspecified
componentes Descripción : 2.5A, 30V N-CHANNEL MOSFET
Número de pieza(s) : EMH2801
SANYO -> Panasonic
SANYO -> Panasonic
componentes Descripción : General-Purpose Switching Device Applications
Número de pieza(s) : EMH2801 EMH2801-TL-H
ON Semiconductor
ON Semiconductor
componentes Descripción : P-Channel Power MOSFET
Número de pieza(s) : 4N90C 4N90CL-TF3-T 4N90CG-TF3-T
Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
componentes Descripción : 4A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET
KEC
KEC
componentes Descripción : N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Número de pieza(s) : 4N90C 4N90CL-TF3-T 4N90CG-TF3-T
Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
componentes Descripción : 4.0A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET (Rev - 2016)
Número de pieza(s) : KHB2D0N60F KHB2D0N60F2 KHB2D0N60P
KEC
KEC
componentes Descripción : N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Número de pieza(s) : YJL2301G
Yangzhou yangjie electronic co., Ltd
Yangzhou yangjie electronic co., Ltd
componentes Descripción : P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Número de pieza(s) : M02N60
STANSON TECHNOLOGY
STANSON TECHNOLOGY
componentes Descripción : N-Channel MOSFET 2.0A
componentes Descripción : N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Número de pieza(s) : MDD3N40 MDD3N40RH
MagnaChip Semiconductor
MagnaChip Semiconductor
componentes Descripción : N-Channel MOSFET 400V, 2.0A, 3.4Ω
International Rectifier
International Rectifier
componentes Descripción : HALF-BRIDGE DRIVER
Número de pieza(s) : YJL02N10A
Yangzhou yangjie electronic co., Ltd
Yangzhou yangjie electronic co., Ltd
componentes Descripción : N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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