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Número de pieza(s) : RJH3044
Hitachi -> Renesas Electronics
Hitachi -> Renesas Electronics
componentes Descripción : Silicon N channel IGBT, 360V, 30A
Número de pieza(s) : 30G120ASW AP30G120ASW
Advanced Power Electronics Corp
Advanced Power Electronics Corp
componentes Descripción : N-channel INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.
Número de pieza(s) : AP30G120ASW-HF
Advanced Power Electronics Corp
Advanced Power Electronics Corp
componentes Descripción : N-channel INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.
Número de pieza(s) : MG300J2YS40
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : Silicon N channel IGBT
Número de pieza(s) : MG25Q2YS40
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : GTR MODULE Silicon N channel IGBT
Número de pieza(s) : MG25Q6ES42
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : GTR MODULE Silicon N channel IGBT
Número de pieza(s) : MG25J1BS11
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : GTR MODULE Silicon N - channel IGBT
Número de pieza(s) : MG300Q1US51
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA GTR MODULE Silicon N channel IGBT
Número de pieza(s) : MG600J1US51 MG600
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA GTR MODULE Silicon N channel IGBT
Número de pieza(s) : MG100Q2YS11
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : GTR Module Silicon N-channel IGBT
Número de pieza(s) : MG75Q2YS52
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA GTR MODULE Silicon N channel IGBT
Número de pieza(s) : MG300J1US51
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA GTR MODULE Silicon N channel IGBT
Número de pieza(s) : MG300Q1US11
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Número de pieza(s) : MG15J6ES40
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Número de pieza(s) : MG600Q2YS60A
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : TOSHIBA IGBT MODULE Silicon N channel IGBT
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : EcoSPARK™ 500mJ, 360V, N-channel Ignition IGBT (Rev - 2002)
componentes Descripción : EcoSPARK® 500mJ, 360V, N-channel Ignition IGBT
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : EcoSPARK™ 300mJ, 360V, N-channel Ignition IGBT (Rev - 2002)
Número de pieza(s) : RJP6085DPN RJP6085DPN-00-T2
Renesas Electronics
Renesas Electronics
componentes Descripción : Silicon N channel IGBT High Speed Power Switching (Rev - 2010)
Número de pieza(s) : RJK6085DPK-00-T0 RJP6085DPK
Renesas Electronics
Renesas Electronics
componentes Descripción : Silicon N channel IGBT High Speed Power Switching (Rev - 2010)
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