2SB1198K Hoja de datos - ROHM Semiconductor
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2SB1198K
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Fabricante
ROHM Semiconductor
Features
1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 0.5A / 50mA)
2) High breakdown voltage. BVCEO = 80V
3) Complements the 2SD1782K.
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Fabricante
Power Transistor (80V, 0.5A) Epitaxial planar type NPN silicon transistor
ROHM Semiconductor
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