2SC3356WQ Hoja de datos - Galaxy Semi-Conductor
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2SC3356WQ
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Galaxy Semi-Conductor
FEATURES
● Low noise and high gain: NF=1.1dB TYP,
Ga=11dB TYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz
● High power gain:MAG=13dB TYP.
@VCE=10V.IC=20mA,f=1.0GHz
APPLICATIONS
● NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor.
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