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30JL2C41
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Toshiba
30JL2C41
TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE
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30J
L2C41
Toshiba
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Discrete IGBT - 30G124 ~ 30F125
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Discrete IGBT - 30G124 ~ 30F125
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Discrete IGBT - 30G124 ~ 30F125
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High energy Wirewound
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High energy Wirewound
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Discrete IGBT - 30G124 ~ 30F125
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