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FB18N50K   Hoja de datos

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Fabricante
Número de pieza
componentes Descripción
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IR
International Rectifier
HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.26 Ohm, ID = 17A
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Match & Start : FB18N50K
ETC
Unspecified
15 Amp. Glass Passivated Bridge Rectifier
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IR
International Rectifier
HEXFET® Power MOSFET VDSS = 500V, RDS(on) = 0.52 Ohm, ID = 11A
Ver
IR
International Rectifier
HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.26 Ohm, ID = 17A
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Vishay
Vishay Semiconductors
Power MOSFET(Vdss=500V/ Rds(on)max=0.52ohm/ Id=11A)
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Vishay
Vishay Semiconductors
Power MOSFET, 190 A
Ver
IR
International Rectifier
HEXFET® Power MOSFET
Ver
Vishay
Vishay Semiconductors
Power MOSFET, 190 A
Ver
NEC
NEC => Renesas Technology
COMPOUND TRANSISTOR
Ver
EUPEC
eupec GmbH
IGBT-Modules
Ver
Infineon
Infineon Technologies
EasyPIM™ module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC
Ver
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