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componentes Descripción
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International Rectifier
HEXFET Power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 1.2 Ω, ID = -3.1A
Inchange Semiconductor
P-Channel MOSFET Transistor
Intersil
3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Kersemi Electronic Co., Ltd.
Power MOSFET
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