HY57V161610D-I Ver la hoja de datos (PDF) - Hynix Semiconductor

Número de pieza

componentes Descripción

Lista de partido

HY57V161610D-I

2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

Hynix Semiconductor 

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

1Mx16 Synchronous DRAM

Self Refresh Counter

HY57V161610D-I

Refresh

Interval Timer

Refresh

Counter

Address[0:10]

CLK

CKE

BA(A11)

CS

RAS

CAS

WE

UDQM

LDQM

Precharge

Row Active

Address

Register

Column Active

Burst Length

Counter

512Kx16

Bank 0

Sense AMP & I/O gates

Column Decoder

Overflow

Column Addr.

Latch & Counter

Column Decoder

Sense AMP & I/O gates

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

512Kx16

Bank 1

Mode Register

Rev. 0.3/Mar. 02

Test Mode

I/O Control

3

Share Link: