CPD41(2002) Hoja de datos - Central Semiconductor
Número de pieza
CPD41
componentes Descripción
Other PDF
PDF
page
2 Pages
File Size
128.2 kB
Fabricante
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 20 x 20 MILS
Die Thickness 8.0 MILS
Anode Bonding Pad Area 6.5 x 6.5 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 12,000Å
Número de pieza
componentes Descripción
PDF
Fabricante
Share Link: