CPD80V Hoja de datos - Central Semiconductor
Número de pieza
CPD80V
componentes Descripción
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Fabricante
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 16 x 16 MILS
Die Thickness 7.1 MILS
Anode Bonding Pad Area 6.5 x 6.5 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au-As - 13,000Å
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