CPD71 Hoja de datos - Central Semiconductor
Número de pieza
CPD71
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Fabricante
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 11 x 11 MILS
Die Thickness 11 MILS
Anode Bonding Pad Area 3.3 x 3.3 MILS
Top Side Metalization Al - 15,000Å
Back Side Metalization Au - 18,000Å
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