CPD66X Hoja de datos - Central Semiconductor
Número de pieza
CPD66X
componentes Descripción
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Fabricante
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Die Size 17.5 x 17.5 MILS
Die Thickness 5.9 MILS
Anode Bonding Pad Area 7.9 MILS DIAMETER
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au-As - 13,000Å
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