CPD87R Hoja de datos - Central Semiconductor
Número de pieza
CPD87R
componentes Descripción
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Fabricante
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 14.6 x 14.6 MILS
Die Thickness 3.9 MILS
Anode Bonding Pad Area 11.8 x 11.8 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 12,000Å
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