2SJ575 Hoja de datos - Hitachi -> Renesas Electronics
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2SJ575
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Fabricante
Hitachi -> Renesas Electronics
Features
• Low on-resistance
RDS =2.8 Ω typ. (VGS = -10 V , ID = -50 mA)
RDS =5.7 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA)
• 4 V gate drive device.
• Small package (MPAK)
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