2SJ587 Hoja de datos - Hitachi -> Renesas Electronics
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2SJ587
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Fabricante
Hitachi -> Renesas Electronics
Features
• Low on-resistance
RDS = 8.5 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -25 mA)
RDS = 15 typ. (VGS = -2.5 V , ID = -10 mA)
• 2.5 V gate drive device.
• Small package (SMPAK)
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